电容q值（电容q值怎么测）

本篇文章给大家谈谈电容q值，以及电容q值怎么测对应的知识点，希望对各位有所帮助，不要忘了收藏本站喔。

本文目录一览：

• 1、电容的Q值和D值指的是什么？
• 2、电容的Q值是什么，高好还是低好
• 3、q值是什么

电容的Q值和D值指的是什么？

电容的Q值和D值：Q值为品质因素，D 值为损耗角因素，也叫TAN损耗角。

Q值相当于D值的倒数，因此二者是成反比关系的。它们是衡量电容器的主要参数，Q值越高，其损耗越小，效率越高。

扩展资料

电容

电学物理量之一

电容（Capacitance）亦称作“电容量”，是指在给定电位差下的电荷储藏量，记为C，国际单位是法拉（F）。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存，储存的电荷量则称为电容。

电容是指容纳电场的能力。任何静电场都是由许多个电容组成，有静电场就有电容，电容是用静电场描述的。一般认为：孤立导体与无穷远处构成电容，导体接地等效于接到无穷远处，并与大地连接成整体。

电容（或称电容量）是表现电容器容纳电荷本领的物理量。电容从物理学上讲，它是一种静态电荷存储介质，可能电荷会永久存在，这是它的特征，它的用途较广，它是电子、电力领域中不可缺少的电子元件。主要用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、滤波、补偿、充放电、储能、隔直流等电路中。

电容器所带电量Q与电容器两极间的电压U的比值，叫电容器的电容。在电路学里，给定电势差，电容器储存电荷的能力，称为电容（capacitance），标记为C。采用国际单位制，电容镇念薯的单位是法拉（farad），标记为F。

电容的作用

1、旁路

旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降 。

2、去耦

去耦，又称解耦。从电路来说， 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候， 电流比较大， 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感）会产生反弹，这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。

去耦电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免高神相互间的耦合干扰，在电路中进一步减小电源与参考地之间的高频干扰阻抗。

将旁路电容和去耦电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提供一条低阻抗泄放途径。

高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。

旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别 。

3、滤波

从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容滤低频，小电容滤高频。电容的作用就是通交流隔直流，通高频阻低频。电容越大高频越容易通过。

具体用在滤波中，大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。

4、储能

储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式， 对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。

参考资御者料来源：百度百科-电容

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电容的Q值是什么，高好还是低好

Q值是指品质因数，一般讨论电数虚感Q值的比较哗改多，电容其实也有Q值但一般不常用。

Q值对于电感和电容的定义是一样的，即每个周期内存储的能量与损失的能量之比。一般情况下，薯芦燃Q值越高越好。

q值是什么

Q值是衡量电感器件的主要参数。是指电感器在某一频率的交流电压下工作时，所世老呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。电感器的Q值越高，其损耗越小，效率越高。 电感器品滚培质因数的高低与线圈导线的直流电阻、线圈骨架的介质损耗及铁心、屏蔽罩等引起的损耗等有关。

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Q value

(一)共聚反应中单体和自由基的活性与结构有关，可用Q因子(单体共轭效应因子)和e因子(单体极性因子)描述。为了求出Q值和e值，选定苯乙烯为参考单体，定其Q值为1,e值为-0.8。可由Q-e概念中的定量公式 r1=k11/k12=Q1/Q2exp[-e1(e1-e2)] r1=k22/k21=Q2/Q1exp[-e2(e2-e1)]求得另一单体的Q和e值。

(二)核反应产物处于基态时的反应能。对于核反应A(a,b)B来说，Q=(EB+Eb)-(Ea+EA)

(三)Q值：

首先应用于电气电子工程的概念，用于描述回路的质量，即Q=电感电容等储能器件携带的能量÷电阻的损耗功率。

衡量电感器件的主要参数。是指电感器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。电感器的Q值越高，其损耗越小，效率越高。电感器品质因数的高低与线圈导线的直流电阻、线圈骨架的介质损耗及铁心、屏蔽罩等引起的损耗等有关。 也有人把电感的Q值特意降低的，目的是避免高频谐振增益过大。降低Q值的办法可以是增加绕组的电阻或使用功耗比较大的磁芯。

随后用于系统论，描述任何可储能器件的性能（比如LC震荡回路、激光谐振腔、FP标准具），即Q=腔内能量÷损耗功率。可见，Q值是储能器件受震荡驱动力和阻尼力的矛盾作用的结果。当Q值〉0.5时，系统为欠阻尼系统，有限长时间内可以震荡一个周期以上；当Q值〈0.5时，系统为过阻尼系统，由于损耗严重，震荡不超过一个周期。特别地，当Q值=0.5时，系统是临界阻尼系统，即在驱动力和阻尼力的大返唯联合作用下，震荡一个周期需要无限长时间。

通过对Q值的调节，产生了一些很有趣很有用的工程技术。例如激光的调Q技术。

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